삼성, 엔비디아 차세대 메모리 칩에 TSMC 기술 활용 (10/19)

● 요약

  - 삼성전자가 엔비디아의 차세대 규격인 NVHBM 공급을 위해

    하단 베이스 다이를 TSMC 3nm 파운드리에 맡기고

    상단 코어 다이에는 자체 1c nm DRAM을 적층하는 방식을 전격 수용

  - 엔비디아는 독자 컨트롤러 내장과 하판 외주 일원화를 통해

    메모리 3사를 범용 조립 공급자로 종속시키려 하며,

  - 삼성은 자사 파운드리 턴키를 양보하는 대신

    엔비디아 메인 공급망 복귀라는 실리를 擇