삼성전자, 차세대 AI 메모리 기술 발표 — FMS 2026 (8/4~6, 산타클라라) (8/5)

● 요약

  - 두 가지 핵심 기술 공개

   ① BV-NAND(V10 Bonding V-NAND): 400단 이상 적층 + 웨이퍼 본딩 방식으로

      V9 比 저장 밀도 58% 향상, '적층 수 경쟁'에서 '본딩·3D 패키징 경쟁'으로

      핵심 경쟁축 이동

   ② zHBM & zNAND-O: 기존 HBM5 比 메모리 밀도 10배·에너지 효율 3배

      열 저항 50% 감소

  - 더불어 장기공급계약(LTA) 전체 메모리 매출의 60~70% 공시

   • 'AI 붐이 꺾여도 매출은 계약으로 보호된다'는 구조적 성장 내러티브를 시장에 재확인

  - 모건스탠리 Shawn Kim의 '메모리 피크아웃' 경고(7/21)에 대한

    삼성의 기술·계약 양면 반박으로 해석